PDTA123JT
Symbol Micros:
TPDTA123jt
Gehäuse: SOT23
PNP; 100; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; PNP; 100; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Grenzfrequenz: | 180MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PDTA123JT RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0928 | 0,0367 | 0,0214 | 0,0156 | 0,0143 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PDTA123JT,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
66000 stk.
| Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0143 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PDTA123JT,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
351000 stk.
| Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0143 |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Grenzfrequenz: | 180MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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