PDTA123JT

Symbol Micros: TPDTA123jt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP; 100; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; PNP; 100; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 180MHz
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTA123JT RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0951 0,0376 0,0219 0,0160 0,0146
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 180MHz
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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