PDTB113ZT NXP

Symbol Micros: TPDTB113zt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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PNP 50V 0.5A 250mW PNP 50V 0.5A 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTB113ZT RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 5+ 40+ 250+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,2185 0,0780 0,0491 0,0423 0,0397
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Standard-Verpackung:
250
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PDTB113ZT,215 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0397
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PDTB113ZT,215 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0397
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 70
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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