PDTC114ET

Symbol Micros: TPDTC114et c

Gehäuse: SOT23

Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter

Verlustleistung:	200mW
Grenzfrequenz:	250MHz
Stromverstärkungsfaktor:	30
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Verlustleistung:	200mW
Grenzfrequenz:	250MHz
Stromverstärkungsfaktor:	30
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN