PDTC114EU,115

Symbol Micros: TPDTC114eu

Gehäuse: SOT323

Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Grenzfrequenz:	230MHz
Stromverstärkungsfaktor:	30
Hersteller:	NXP
Gehäuse:	SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTC114EU,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt

Auf Lager:

9610 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0888	0,0350	0,0204	0,0150	0,0137

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PDTC114EU,115 Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

303140 stk.

Anzahl Stück	12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0137

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PDTC114EU,115 Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

774000 stk.

Anzahl Stück	12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0137

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PDTC114EU,135 Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

110000 stk.

Anzahl Stück	10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0137

Verlustleistung:	200mW
Grenzfrequenz:	230MHz
Stromverstärkungsfaktor:	30
Hersteller:	NXP
Gehäuse:	SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN