PDTC123ET smd

Symbol Micros: TPDTC123et
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 50V 100mA 250mW +res. 2k2+2k2 NPN 50V 100mA 250mW +res. 2k2+2k2
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 30
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTC123ET RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2700 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1058 0,0417 0,0245 0,0178 0,0163
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 30
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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