PDTC123JT smd
Symbol Micros:
TPDTC123jt
Gehäuse: SOT23
NPN 50V 100mA 250mW +res. 2k2+47k NPN 50V 100mA 250mW +res. 2k2+47k
Parameter
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 230MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
Hersteller: | NXP |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PDTC123JT RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1077 | 0,0495 | 0,0269 | 0,0201 | 0,0180 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PDTC123JT,235
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
70000 stk.
Anzahl Stück | 20000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0180 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PDTC123JT,235
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
180000 stk.
Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0180 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PDTC123JT,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
387000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0180 |
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 230MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
Hersteller: | NXP |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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