PDTC123JU,115 NXP

Symbol Micros: TPDTC123ju
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
NPN 100mA 50V 200mW NPN 100mA 50V 200mW

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Parameter
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 230MHz
Stromverstärkungsfaktor: 100
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTC123JU,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
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3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0907 0,0356 0,0209 0,0153 0,0139
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 230MHz
Stromverstärkungsfaktor: 100
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN