PEMD2

Symbol Micros: TPEMD2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT666
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NPN/PNP 100mA 50V 300mW 230/180MHz +res. 22k+22k NPN/PNP 100mA 50V 300mW 230/180MHz +res. 22k+22k
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 230MHz
Stromverstärkungsfaktor: 60
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT666
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PEMD2 RoHS Gehäuse: SOT666 Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1916 0,0907 0,0507 0,0383 0,0348
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PEMD2,115 Gehäuse: SOT666  
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0635
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PEMD2,115 Gehäuse: SOT666  
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0649
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 230MHz
Stromverstärkungsfaktor: 60
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT666
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

Symbol Micros

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