PEMD9

Symbol Micros: TPEMD9
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT666
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NPN/PNP 100mA 50V 300mW 230/180MHz +res. 10k+47k NPN/PNP 100mA 50V 300mW 230/180MHz +res. 10k+47k

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 100
Grenzfrequenz: 230MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT666
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 100
Grenzfrequenz: 230MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT666
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

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