PEMH10

Symbol Micros: TPEMH10
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT666
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 2.2k+47k 2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 2.2k+47k
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 230MHz
Stromverstärkungsfaktor: 100
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT666
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PEMH10,115 RoHS Gehäuse: SOT666 Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1935 0,0772 0,0450 0,0375 0,0352
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 230MHz
Stromverstärkungsfaktor: 100
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT666
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole