PEMH10

Symbol Micros: TPEMH10
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT666
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2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 2.2k+47k 2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 2.2k+47k

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 100
Grenzfrequenz: 230MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT666
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PEMH10,115 RoHS Gehäuse: SOT666 Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1891 0,0755 0,0440 0,0367 0,0344
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 100
Grenzfrequenz: 230MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT666
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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