PMH600UNEH
Symbol Micros:
TPMH600UNEH
Gehäuse: SOT883
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 620 mOhm; 800mA; 2,2 W; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 620mOhm |
| Max. Drainstrom: | 800mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,2W |
| Gehäuse: | DFN03 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMH600UNEH
Gehäuse: SOT883
Externes Lager:
20000 stk.
| Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0285 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMH600UNEH
Gehäuse: SOT883
Externes Lager:
30000 stk.
| Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0285 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 620mOhm |
| Max. Drainstrom: | 800mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,2W |
| Gehäuse: | DFN03 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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