PMV160UP

Symbol Micros: TPMV160u
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 380 mOhm; 1,2A; 480 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: PMV160UP.215;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 480mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PMV160UP,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
95 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 95+ 380+ 1615+
Nettopreis (EUR) 0,2446 0,1342 0,0895 0,0752 0,0697
Standard-Verpackung:
95
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PMV160UP,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2446 0,1335 0,0876 0,0755 0,0697
Standard-Verpackung:
5
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PMV160UP,215 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0697
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PMV160UP,215 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
51000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0697
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 480mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD