PMV20ENR
Symbol Micros:
TPMV20e
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 34 mOhm; 6A; 1,2 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 34mOhm |
Max. Drainstrom: | 6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,2W |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PMV20EN RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1800 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2611 | 0,1387 | 0,1077 | 0,0993 | 0,0951 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMV20ENR
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0951 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMV20ENR
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
69000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0951 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMV20ENR
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
81000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0951 |
Widerstand im offenen Kanal: | 34mOhm |
Max. Drainstrom: | 6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,2W |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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