PMV213SN

Name: TPMV213sn TPMV213sn
Brand: NXP
SKU: TPMV213sn
Price: 0.1634 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TPMV213sn

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 30V; 575 mOhm; 1,9A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: PMV213SN,215;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	575mOhm
Max. Drainstrom:	1,9A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PMV213SN,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

1585 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4253	0,2337	0,1839	0,1704	0,1634

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PMV213SN,215 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

30000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1634

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PMV213SN,215 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

27000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1634

Widerstand im offenen Kanal:	575mOhm
Max. Drainstrom:	1,9A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD