PMV30UN2R

Symbol Micros: TPMV30u
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 160mOhm; 4,2A; 1W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PMV30UN2R RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2690 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2115 0,1170 0,0776 0,0648 0,0604
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PMV30UN2R Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0604
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PMV30UN2R Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
39000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0604
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PMV30UN2R Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
96000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0656
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD