PMV30UN2R
Symbol Micros:
TPMV30u
Gehäuse: SOT23-3
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 160mOhm; 4,2A; 1W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PMV30UN2R RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2690 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2115 | 0,1170 | 0,0776 | 0,0648 | 0,0604 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMV30UN2R
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0604 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMV30UN2R
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
39000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0604 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMV30UN2R
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
96000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0656 |
Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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