PMV32UP

Symbol Micros: TPMV32up
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 73mOhm; 4A; 930 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: PMV32UP.215;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 73mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 930mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PMV32UP,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2742 0,1451 0,1125 0,1038 0,0994
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 73mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 930mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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