PMV40UN2R

Symbol Micros: TPMV40u
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 78mOhm; 3,7A; 1W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: PMV40UN; PMV40UN,215; PMV40UN2R; PMV40UN215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 78mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PMV40UN2R RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2100 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2944 0,1623 0,1077 0,0900 0,0838
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PMV40UN2R Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
1077000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0838
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PMV40UN2R Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0838
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PMV40UN2R Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
39000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0838
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 78mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD