PMV45EN2R
Symbol Micros:
TPMV45e
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 66mOhm; 4.1A; 1,115 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 66mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,115W |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PMV45EN2R RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2972 | 0,1626 | 0,1067 | 0,0922 | 0,0849 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMV45EN2R
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
327000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0849 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMV45EN2R
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
543000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0849 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMV45EN2R
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
75000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0849 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 66mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,115W |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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