PMV65XP

Symbol Micros: TPMV65x
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 135 mOhm; 2,8A; 833 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: PMV65XPEAR; PMV65XP,215; PMV65XP.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 2,8A
Maximaler Leistungsverlust: 833mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PMV65XP,215 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2122 0,1175 0,0779 0,0650 0,0606
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PMV65XP,215 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
99000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0606
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PMV65XP,215 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0606
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PMV65XP,215 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
162000 stk.
Anzahl Stück 2151+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0606
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 2,8A
Maximaler Leistungsverlust: 833mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD