PMV65XP
Symbol Micros:
TPMV65x
Gehäuse: SOT23-3
P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 135 mOhm; 2,8A; 833 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: PMV65XPEAR; PMV65XP,215; PMV65XP.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 135mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 833mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PMV65XP,215 RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2122 | 0,1175 | 0,0779 | 0,0650 | 0,0606 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMV65XP,215
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
99000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0606 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMV65XP,215
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0606 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMV65XP,215
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
162000 stk.
Anzahl Stück | 2151+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0606 |
Widerstand im offenen Kanal: | 135mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 833mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole