PMXB40UNEZ

Symbol Micros: TPMXB40u
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT883
N-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 121 mOhm; 3,2A; 1,07 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 121mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,07W
Gehäuse: SOT883
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PMXB40UNEZ RoHS Gehäuse: SOT883 Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2798 0,1793 0,1257 0,1091 0,1021
Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PMXB40UNEZ Gehäuse: SOT883  
Externes Lager:
35000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1021
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PMXB40UNEZ Gehäuse: SOT883  
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1021
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 121mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,07W
Gehäuse: SOT883
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD