PSMN057-200B

Name: TPSMN057-200b TPSMN057-200b
Brand: Nexperia
SKU: TPSMN057-200b
Price: 1.3405 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TPSMN057-200b

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-MOSFET-Transistor; 200V; 200V; 20V; 165 mOhm; 39A; 250 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	165mOhm
Max. Drainstrom:	39A
Maximaler Leistungsverlust:	250W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Msx. Drain-Gate Spannung:	200V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PSMN057-200B RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,0120	1,5970	1,4431	1,3662	1,3405

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PSMN057-200P,127 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

4200 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5226

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PSMN057-200B,118 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

4800 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,3405

Widerstand im offenen Kanal:	165mOhm
Max. Drainstrom:	39A
Maximaler Leistungsverlust:	250W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Msx. Drain-Gate Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD