PSMN1R2-25YLC

Symbol Micros: TPSMN1r2-25ylc
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 25V; 25V; 20V; 2,75 mOhm; 100A; 179W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,75mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 179W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Msx. Drain-Gate Spannung: 25V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PSMN1R2-25YLC RoHS 1C225L Gehäuse: LFPAK Datenblatt
Auf Lager:
29 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 49+ 196+
Nettopreis (EUR) 1,1913 0,9092 0,7530 0,6598 0,6271
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
49
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PSMN1R2-25YLC,115 Gehäuse: LFPAK  
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6271
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,75mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 179W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Msx. Drain-Gate Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole