PSMN1R7-60BS NXP

Name: TPSMN1r7-60bs TPSMN1r7-60bs
Brand: NXP
SKU: TPSMN1r7-60bs
Price: 1.6273 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TPSMN1r7-60bs

Gehäuse: D2PAK

N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 4,5 mOhm; 120A; 306W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: PSMN1R7-60BS.118;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	120A
Maximaler Leistungsverlust:	306W
Gehäuse:	D2PAK
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PSMN1R7-60BS RoHS Gehäuse: D2PAK t/r Datenblatt

Auf Lager:

4 stk.

Anzahl Stück	1+	4+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,6042	2,0539	1,7765	1,6623	1,6273

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PSMN1R7-60BS,118 Gehäuse: D2PAK

Externes Lager:

2400 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,6273

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PSMN1R7-60BS,118 Gehäuse: D2PAK

Externes Lager:

2800 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,6273

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PSMN1R7-60BS,118 Gehäuse: D2PAK

Externes Lager:

2400 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,6273

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	120A
Maximaler Leistungsverlust:	306W
Gehäuse:	D2PAK
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD