PSMN3R7-100BSE NEXPERIA

Symbol Micros: TPSMN3r7-100bse

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Transistor MOSFET, TN-channel 100 V, 3.95 mOhm, D2PAK

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	10,7mOhm
Max. Drainstrom:	120A
Maximaler Leistungsverlust:	405W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V

Widerstand im offenen Kanal:	10,7mOhm
Max. Drainstrom:	120A
Maximaler Leistungsverlust:	405W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Montage:	SMD