PUMB10
Symbol Micros:
TPUMB10
Gehäuse: SOT363
2xPNP 100mA 50V 300mW 180MHz +res. 2.2k+47k 2xPNP 100mA 50V 300mW 180MHz +res. 2.2k+47k
Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 180MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
Hersteller: | NXP |
Gehäuse: | SOT363 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PUMB10,115 RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2885 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1582 | 0,0750 | 0,0423 | 0,0320 | 0,0287 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PUMB10,115
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0287 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PUMB10,115
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
36000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0287 |
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 180MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
Hersteller: | NXP |
Gehäuse: | SOT363 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | 2xPNP |
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