PV563BA

Symbol Micros: TPV563BA NIKO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; -40V; 25V; 17mOhm; -9,5A; 3W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17mOhm
Max. Drainstrom: -9,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: NIKO SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: -40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: NIKO SEMICONDUCTOR Hersteller-Teilenummer: PV563BA RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 90+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,6318 0,3963 0,3264 0,2938 0,2751
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 17mOhm
Max. Drainstrom: -9,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: NIKO SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: -40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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