PZT751T1G
Symbol Micros:
TPZT751
Gehäuse: SOT223
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223 Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223
Parameter
Verlustleistung: | 800mW |
Grenzfrequenz: | 75MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 75 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT223 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 2A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 60V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: PZT751T1G RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4484 | 0,2475 | 0,1959 | 0,1847 | 0,1789 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: PZT751T1G
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1789 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: PZT751T1G
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
11000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1789 |
Verlustleistung: | 800mW |
Grenzfrequenz: | 75MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 75 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT223 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 2A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 60V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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