BT136S-800E c

Symbol Micros: TR004bt136s-800e c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Triac; Es = 4a; Vdrm = 800 V; Igt = 25 mA;
Parameter
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Strom: 4A
Gatestrom: 25mA
Spannung: 800V
Typ des Thyristors: Triac
Hersteller: KY Electronics Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: BT136S-800E RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 40+ 150+ 750+
Nettopreis (EUR) 0,2871 0,1835 0,1328 0,1137 0,1048
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Standard-Verpackung:
150
Hersteller: Minos Hersteller-Teilenummer: BT136S-800E RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 40+ 150+ 750+
Nettopreis (EUR) 0,2871 0,1835 0,1328 0,1137 0,1048
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Standard-Verpackung:
150
Hersteller: KEXIN Hersteller-Teilenummer: BT136S-800E RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 40+ 150+ 750+
Nettopreis (EUR) 0,2871 0,1835 0,1328 0,1137 0,1048
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Standard-Verpackung:
200
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Strom: 4A
Gatestrom: 25mA
Spannung: 800V
Typ des Thyristors: Triac

Symbol Micros

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