BT137B-800

Symbol Micros: TR008bt137b-800
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Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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It=8A; Vdrm=800V; Igt=35mA;

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Parameter
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: NXP
Strom: 8A
Gatestrom: 35mA
Spannung: 800V
Typ des Thyristors: Triac
Hersteller: WEEN Hersteller-Teilenummer: BT137B-800.118 RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
44 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9350 0,6853 0,5511 0,4710 0,4451
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: WEEN Hersteller-Teilenummer: BT137B-800,118 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
4150 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4451
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: NXP
Strom: 8A
Gatestrom: 35mA
Spannung: 800V
Typ des Thyristors: Triac

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