R6004KNX Rohm Semiconductor

Symbol Micros: TR6004knx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 1,36 Ohm; 4A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; TO-220-3 Full Pack
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,36Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: R6004KNX RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1750 0,8953 0,7414 0,6505 0,6178
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 1,36Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole