R6007KNX Rohm Semiconductor

Symbol Micros: TR6007knx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 1,2 Ohm; 7A; 46W; -55 °C ~ 150 °C; TO-220-3 Full Pack

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 46W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: R6007KNX RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 1+ 4+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,5867 2,1734 1,9572 1,8694 1,8480
Standard-Verpackung:
4
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 46W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT