R6007KNX Rohm Semiconductor

Symbol Micros: TR6007knx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM TO-220-3 Full Pack

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 46W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: R6007KNX RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 1+ 4+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,5460 2,1392 1,9264 1,8399 1,8189
Standard-Verpackung:
4
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 46W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT