R6015KNX Rohm Semiconductor

Symbol Micros: TR6015knx
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Gehäuse: TO220FP
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 290 mOhm; 15A; 60W; -55 °C ~ 150 °C; TO-220-3 Full Pack
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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