RD3G03BATTL1
Symbol Micros:
TRD3G03BATTL1
Gehäuse: TO-252 (D-PAK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 19,1 mOhm; 35A; 56W; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 19,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 56W |
| Gehäuse: | TO-252 |
| Hersteller: | ROHM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 19,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 56W |
| Gehäuse: | TO-252 |
| Hersteller: | ROHM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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