RFD3055LE

Symbol Micros: TRFD3055le
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 16V; 107mOhm; 11A; 38W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: RFD3055LESM9A;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 107mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: RFD3055LE RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,8979 0,5674 0,4334 0,4022 0,3903
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Standard-Verpackung:
75/300
Widerstand im offenen Kanal: 107mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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