RFP12N10L

Name: TRFP12N10l TRFP12N10l
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TRFP12N10l
Price: 0.3497 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TRFP12N10l

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 10V; 200 mOhm; 12A; 60W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: RFP12N10L RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

160 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8043	0,5106	0,4010	0,3660	0,3497

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: RFP12N10L Gehäuse: TO220

Externes Lager:

750 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5103

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: RFP12N10L Gehäuse: TO220

Externes Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4738

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: RFP12N10L Gehäuse: TO220

Externes Lager:

10166 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4846

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	10V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT