RFP50N06

Name: TRFP50N06 TRFP50N06
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TRFP50N06
Price: 1.0483 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TRFP50N06

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 131W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	22mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	131W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: RFP50N06 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

102 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,7821	1,3208	1,0995	1,0739	1,0483

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: RFP50N06 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

750 stk.

Anzahl Stück	50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	1,0483

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: RFP50N06 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1010 stk.

Anzahl Stück	800+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	1,0483

Widerstand im offenen Kanal:	22mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	131W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT