RJP020N06T100 ROHM

Symbol Micros: TRJP020n06t100
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 60V; 12V; 300 mOhm; 2A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT89
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: RJP020N06T100 RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
82 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5689 0,3567 0,2961 0,2634 0,2471
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT89
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole