RN1904FE

Symbol Micros: TRN1904FE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2xNPN 100mA 50V bias-resistor 47k 2xNPN 100mA 50V bias-resistor 47k
Parameter
Verlustleistung: 100mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 80
Hersteller: TOSHIBA
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: RN1904FE RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
99 stk.
Anzahl Stück 5+ 10+ 20+ 40+ 100+
Nettopreis (EUR) 0,1607 0,1019 0,0666 0,0451 0,0292
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Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 100mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 80
Hersteller: TOSHIBA
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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