RQ6E035ATTCR
Symbol Micros:
TRQ6e035attcr
Gehäuse: TSOT23-6
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C~150°C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
Gehäuse: | TSOT23-6 |
Hersteller: | ROHM |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
Gehäuse: | TSOT23-6 |
Hersteller: | ROHM |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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