RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor

Symbol Micros: TRSJ250p10fratl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: RSJ250P10FRATL RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,7534 1,3887 1,1830 1,0848 1,0310
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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