RSJ250P10TL Rohm Semiconductor

Symbol Micros: TRSJ250p10tl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 70mOhm; 25A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: RSJ250P10TL LPTS RoHS Gehäuse: D2PAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
12 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 40+ 120+
Nettopreis (EUR) 1,9304 1,6133 1,4315 1,3266 1,2869
Standard-Verpackung:
120
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD