RTR040N03TL
Symbol Micros:
TRTR040N03TL VBS
Gehäuse: SOT23
30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs ROHS
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 48mOhm |
Max. Drainstrom: | 5,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | VBsemi |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 48mOhm |
Max. Drainstrom: | 5,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | VBsemi |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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