RTR040N03TL

Symbol Micros: TRTR040N03TL VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs ROHS

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 48mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: RTR040N03TL RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
130 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 350+ 1750+
Nettopreis (EUR) 0,3750 0,2082 0,1643 0,1512 0,1446
Standard-Verpackung:
350
Widerstand im offenen Kanal: 48mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD