S8050 SOT23-3 BORN

Symbol Micros: TS8050 BORN
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 500mA 25V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolar TRANSISTOR - BJT RoHS NPN 500mA 25V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolar TRANSISTOR - BJT RoHS

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 150MHz
Hersteller: BORN
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: BORN Hersteller-Teilenummer: S8050 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
590 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,0939 0,0373 0,0219 0,0161 0,0144
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 150MHz
Hersteller: BORN
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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