S8550 China

Symbol Micros: TS8550 MDD
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor PNP; Bipolar; 400; -25V; -5V; 150MHz; -500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8550-ML; KST8550S;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: MDD
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: -500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: -25V
Hersteller: MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer: S8550 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0444 0,0166 0,0089 0,0066 0,0061
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: MDD
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: -500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: -25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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