S9012 SOT23 BORN
Symbol Micros:
TS9012 BORN
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; Bipolar; 25V; 300mW; 40V; 500mA; 150MHz; -55°C~150°C; Transistor PNP; Bipolar; 25V; 300mW; 40V; 500mA; 150MHz; -55°C~150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Grenzfrequenz: | 150MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 400 |
| Hersteller: | BORN |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 25V |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Grenzfrequenz: | 150MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 400 |
| Hersteller: | BORN |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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