S9013 (J3)
Symbol Micros:
TS9013 MDD
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; Bipolarny; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; S9013-L-YAN; S9013-H-YAN; MOSLEADER S9013-ML;
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Grenzfrequenz: | 150MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 400 |
| Hersteller: | MDD |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 25V |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Grenzfrequenz: | 150MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 400 |
| Hersteller: | MDD |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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