SCT2450KEC

Symbol Micros: TSCT2450kec
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 22V; 585 mOhm; 10A; 85W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SCT2450KEC: Rohm;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 585mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 85W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: SCT2450KEC RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Nettopreis (EUR) 9,7571 9,3045 8,9833 8,6948 8,4838
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Standard-Verpackung:
2
Widerstand im offenen Kanal: 585mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 85W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 22V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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