SCT3060ALGC11

Symbol Micros: TSCT3060algc11
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Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 22V; 78mOhm; 39A; 165 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SCT3060ALGC11: Rohm;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 78mOhm
Max. Drainstrom: 39A
Maximaler Leistungsverlust: 165W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: SCT3060ALGC11 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Nettopreis (EUR) 15,2123 14,7087 14,3427 14,0069 13,8298
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Standard-Verpackung:
2
Widerstand im offenen Kanal: 78mOhm
Max. Drainstrom: 39A
Maximaler Leistungsverlust: 165W
Gehäuse: TO247
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 22V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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