SCT3060ALGC11
Symbol Micros:
TSCT3060algc11
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 22V; 78mOhm; 39A; 165 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SCT3060ALGC11: Rohm;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 78mOhm |
| Max. Drainstrom: | 39A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 165W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ROHM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 78mOhm |
| Max. Drainstrom: | 39A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 165W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ROHM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 22V |
| Montage: | THT |
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