SCT3080KLGC11
Symbol Micros:
TSCT3080klgc11
Gehäuse: TO247
SiC-N-Ch 1200V 31A 165W 0,104T TO247 SCT3080KLGC11 : Rohm
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 104mOhm |
| Max. Drainstrom: | 31A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 165W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ROHM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 104mOhm |
| Max. Drainstrom: | 31A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 165W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ROHM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 22V |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole