SDI2085 SHIKUES

Symbol Micros: TSDI2085
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Gehäuse: DFN06(2x2)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 15V; 12V; 45mOhm; 8,5A; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 8,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: DFN06(2x2)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 15V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: SHIKUES Hersteller-Teilenummer: SDI2085 RoHS Gehäuse: DFN06(2x2) Datenblatt
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500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3007 0,1602 0,1245 0,1128 0,1090
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 8,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: DFN06(2x2)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 15V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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